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最近，黑磷（B-P）由于其高的載流子遷移率，大開/關(guān)比，其可調(diào)諧的能帶結(jié)構(gòu)吸引了人們越來越多的關(guān)注。與石墨烯相比，它被認為是在光學電子設備中運用的有希望的材料。但是，在大氣壓下B-P容易氧化，這樣將會妨礙其應用在實際裝置中。為了改進它的這一特性，研究發(fā)現(xiàn)合金化B-P是一個不錯的選擇，比如黑色砷磷合金顯示了可調(diào)帶隙，優(yōu)異的光學性能和良好的環(huán)境穩(wěn)定性。另一種方式是尋找新的替代材料黑砷(B-As)，作為B-P的表兄弟，它具有其類似的結(jié)構(gòu)有優(yōu)異的物理和化學性質(zhì)。成果簡介 最近，報道了一種新的元素二維材料：黑砷，將其應用到場

在第二代半導體中，砷化鎵（GaAs）被認為目前最成熟的化合物半導體材料之一，與硅（Si）相比，具有禁帶寬（1.42eV）、電子遷移率高（8500cm2/V·s）、電子飽和漂移速度高、能帶結(jié)構(gòu)為直接帶隙等特性，常用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等，其相關(guān)器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點，因此受到通信領(lǐng)域和國防與航空航天領(lǐng)域的重視。 不過在自然界中并不存在砷化鎵晶體，它屬于人工晶體材料的一種，其多晶合成和單晶生長技術(shù)的實現(xiàn)都需要依賴于單質(zhì)砷、鎵的物理化學反應。在這個過程中，原材料的